Key information

Title
Anordning for waferhåndtering
Application number
20093232
Case type
National
Status
31.10.2012 P.g.a ikke betalt årsavgift
Filed
28.10.2009
Effective date
28.10.2009
Publicly available
29.04.2011
Applicant
Dynatec Engineering AS (NO)
Inventor
Josef Filtvedt (NO)
Agent
PROTECTOR IP AS (NO)

Abstract and drawing

Disclaimer: This text has been machine-scanned and may contain errors – please refer to "Publications" for legally binding content.
Innretning for å adskille den ytre skive av silisium eller annet materiale fra en sammenstilling av en eller flere ytterligere skiver, idet et væskesjikt foreligger mellom den ytre skive og de en eller flere ytterligere skiver. Innretningen særpreges ved at den omfatter en varmeinnretning som er plassert og dimensjonert slik at den ved operasjon medfører oppvarming til fordampning av minst en del av nevnte væskesjikt. Således elimineres adhesjonskreftene bevirket av væskesjiktet, slik at den ytre skive, og påfølgende ytre skiver, lettere kan adskilles og transporteres til neste trinn i fremstillingen av et ferdig produkt. Anlegg med og fremgangsmåte med bruk av en slik innretning.

Publications

A1
Checking availability of the latest published version...

Documents

 Expand Download files (4)
Date
 Date Doc. No. Process Case number In/Out Journal description To/from
 23.05.2013 12-01 Saksbehandling 20093232 UT Batch PTGRACEOVER HL 15-4 årsavgift (2013.05.23)
06.03.2013 11-01 Saksbehandling 20093232 UT Henlagt manglede svar Protector Intellectual Property Consultants AS
 09.01.2013 10-01 Saksbehandling 20093232 UT Grace period has started (Patent) (2013.01.09)
10.11.2012 09-01 Saksbehandling 20093232 UT Realitet patent Protector Intellectual Property Consultants AS
05.08.2011 08-01 Saksbehandling 20093232 UT Patent - Reminder of first annual fee (2011.08.05)
18.05.2011 07-01 Saksbehandling 20093232 UT Publisert patentsøknad Protector Intellectual Property Consultants AS
26.11.2010 06-03 Saksbehandling 20093232 INN Krav Protector Intellectual Property Consultants AS
26.11.2010 06-02 Saksbehandling 20093232 INN Hovedbrev Protector Intellectual Property Consultants AS
26.11.2010 06-01 Saksbehandling 20093232 INN Korrespondanse (hoved dok) Protector Intellectual Property Consultants AS
29.10.2010 05-01 Saksbehandling 20093232 UT Bekreftelsesbrev Patent (2010.10.29)
28.10.2010 04-01 Saksbehandling 20093232 UT Bekreftelsesbrev Patent (2010.10.28)
27.05.2010 03-03 Saksbehandling 20093232 UT NO 2006 1164 L
27.05.2010 03-02 Saksbehandling 20093232 UT PT report 09:25:35
27.05.2010 03-01 Saksbehandling 20093232 UT Realitet patent
30.10.2009 02-01 Saksbehandling 20093232 UT PT Infobrev til oppfinner (2009.10.30)
28.10.2009 01-07 Saksbehandling 20093232 INN Figurer P3637NO00 Protector Intellectual Property Consultants AS
28.10.2009 01-06 Saksbehandling 20093232 INN Fullmakt Protector Intellectual Property Consultants AS
28.10.2009 01-05 Saksbehandling 20093232 INN Erklæring: søkers rett til oppfinnelse Protector Intellectual Property Consultants AS
28.10.2009 01-04 Saksbehandling 20093232 INN Sammendrag Protector Intellectual Property Consultants AS
28.10.2009 01-04 Saksbehandling 20093232 INN Publ. sammendrag (official abstract) for appnr 20093232 Protector Intellectual Property Consultants AS
28.10.2009 01-03 Saksbehandling 20093232 INN Krav Protector Intellectual Property Consultants AS
28.10.2009 01-02 Saksbehandling 20093232 INN Beskrivelse Protector Intellectual Property Consultants AS
28.10.2009 01-01 Saksbehandling 20093232 INN National Patent Application Form Protector Intellectual Property Consultants AS

Description, claims and drawings

Disclaimer: This text has been machine-scanned and may contain errors – please refer to "Publications" for legally binding content. Description
Den foreliggende oppfinnelse vedrører håndtering av objekter, særlig lagdelte objekter som er stablet sammen med et tynt væskelag mellom lagene. Oppfinnelsen vedrører særlig en innretning for å adskille den ytre skive av silisium eller annet materiale fra en sammenstilling eller stabel av en eller flere ytterligere skiver, idet et væskelag er anordnet mellom den ytre skive og de en eller flere ytterligere skiver, et anlegg med en slik innretning og en fremgangsmåte for slik adskillelse.Noen materialer i industrielle prosesser, slik som silisium og til dels andre halvledermaterialer til bruk i solceller, sensorer og elektronikk, blir støpt ut i ingoter eller blokker som deles til enheter med riktige dimensjoner i forhold til det ferdige produktet. Særlig for solcelleanvendelser, men også en del andre anvendelser, blir blokkene saget opp i tynne skiver (wafere) i en væskekjølt skjæreprosess. Wafere kommer ut av skjæreprosessen som blokker av parallelle wafere heftet sammen via kjølemediet fra den forutgående skjæreprosessen. I etterbehandlingen som følger skal hver enkelt wafer behandles individuelt som separate enheter, hvilket imidlertid er vanskelig på grunn av sterke krefter som holder waferne sammen. Det tynne væskelaget mellom waferne er det vesentlige opphav til kreftene som holder waferne sammen, og kreftene antas å være en kombinasjon av kohesive, adhesive, viskøse og mekaniske krefter (adhesive og kohesive krefter utgjør såkalte kappilar krefter).Separasjon av wafere fra stabelen eller sammenstillingen har til nå foregått manuelt hvorved en operatør separerer den 1. waferen fra stablene for hånd, og bringer den manuelt videre til neste trinn i prosessen. Prosessen er tidkrevende og innbærer store problemer for operatøren. Waferne i stabler etter skjæring holdes sammen av flere krefter knyttet til de viskøse egenskapene i gjenværende kjølemediet som finnes mellom waferne etter skjæreprosessen. Ru overflate på waferne og partikler mellom overflatene på waferne etter skjæreprosessen kompliserer prosessen ytterligere. Manuell håndtering gir stort svinn idet et stort antall wafere blir skadet i separeringsprosessen. I solcelleindustrien er det behov for tynnere wafere på 50 - 200 my som krever enda mer skånsom behandling enn det som er tilgjengelig i dag.I US-patentsøknad no. 2008/0146003 Al, beskrives en metode der wafere anordnes i en vertikal stabel senket ned i et kar med vann. Stabelen med wafere senkes i vann for å redusere viskøse krefter mellom waferne, og vann brukes for å skille wafere før separering av wafer nr. 1 fra stabelen. En transportinnretning med vakuumenheter suger på side 1 av wafer nr. 1, dvs. den ytre siden som er tilgjengelig og peker ut fra stabelen, og separer ved å suge seg fast på den ene siden av waferen, og trekke den vertikalt opp fra stabelen. Wafer nr. 2, 3 osv. i stabelen holdes på plass av en mekanisk blokkeringsenhet som skal hindre flere wafere og følge med når wafer nr. 1 løftes opp fra stabelen. Metoden har flere ulemper som kan gi brekkasje og redusert kapasitet under drift. Flere sugeenheter er vanskelig å justere perfekt, og uønskede krefter kan oppstå i waferen når vakuumet settes på. Nedsenking i vann reduserer vedhenget mellom waferne og øker risikoen for at flere enn l-en wafer følger med ved separasjon. Kapasiteten er begrenset slik oppfinnelse er beskrevet i publikasjonen nevnt ovenfor.Publikasjon WO 2004/051735 beskriver en anordning for separering av horisontale wafere anordnet i en vertikal stabel. Waferne ligger på et horisontalt plan og beveges i samme plan. En transportinnretning løfter den øverste waferen opp fra stabelen samtidig som et fluid pumpes inn mellom wafer 1 og wafer 2 i stabelen for å separere wafer nr. 1 fra wafer nr. 2. Ulempene med metoden er flere. En horisontal anordning av waferne øker risikoen for at flere wafere følger med under separering. Separering ved påføring av et fluid mellom wafer 1 og wafer 2 er vanskelig å kontrollere slik at trykket på waferflaten blir helt jevnt. Ujevnt trykk over flaten utsetter waferen for krefter som kan skade den og gi øket svinn ved separasjon.Publikasjon DE 102005016518 beskriver en anordning for separering av wafere fra en bæreinnretning, og individuell utmating fra en horisontal stabel. Metoden er i hovedsak utviklet for tykkere wafere (300 - 400 my) som brukes i elektronikkindustrien, og er lite relevant for tynne wafere til solceller.Metoden hittil har i hovedsak vært basert på å øke tykkelsen av væskesjiktet mellom skivene eller waferne, eller manuelt arbeid. Det er behov for innretninger, anlegg og fremgangsmåter med fordelaktige virkninger i forhold til kjent teknikk, og formålet med den foreliggende oppfinnelse er å imøtekomme nevnte behov.Med den foreliggende oppfinnelse tilveiebringes en innretning for å adskille den ytre skive av silisium eller annet materiale fra en sammenstilling av en eller flere ytterligere skiver, idet et væskesjikt foreligger mellom den ytre skive og de en eller flere ytterligere skiver. Innretningen særpreges ved at den omfatter en varmeinnretning som er plassert og dimensjonert slik at den ved operasjon medfører oppvarming til fordampning av minst en del av nevnte væskesjikt. Således elimineres adhesjonskreftene bevirket av væskesjiktet, slik at den ytre skive, og påfølgende ytre skiver, lettere kan adskilles og transporteres til neste trinn i fremstillingen av et ferdig produkt. Det er generelt tilstrekkelig å fordampe kun en del av væskesjiktet, fordi dampen eller gassen utvides kraftig i forhold til væsken og eventuell resterende væske fortrenges derved fra sjiktet, hvilket bidrar til separasjon av den ytre skive fra de øvrige skiver i stabelen eller sammenstillingen av skiver. Mest fordelaktig er innretningen plassert og dimensjonert slik at den varmer hele skivens areal eller et antall punkter fordelt utover skivens areal, fordi dette medfører økt separasjonstakt og mulighet for mer skånsom behandling av skiver eller wafere.Enhver funksjonelt egnet varmeinnretning kan være anvendbar, eksempelvis valgt blant varmelyskilder rettet mot skivens overflate, laserkilder rettet mot skivens overflate, flateformede motstandsvarmere med anleggsflate tilpasset skivens areal, varmekamre som omslutter sammenstillingen av skiver, strålevarmere, induksjonsvarmere, motstandsvarmere, beredere som varmer væske som tilføres mellom skivene til en temperatur nær kokepunktet, og andre varmeinnretninger. Innretningen er med fordel dimensjonert og anordnet slik at oppvarming til tilstrekkelig fordampning av væskesjiktet mellom den ytre skive og sammenstillingen av skiver utføres raskt nok til at væskesjiktet mellom den nest ytterste og den tredje ytterste skive ikke fordamper, hvorved økt separasjonshastighet uten vedheng av den nest ytterste eller andre skiver oppnås.Oppfinnelsen tilveiebringer også et anlegg for adskillelse og håndtering av skiver av silisium eller annet materiale fra en sammenstilling av en eller flere ytterligere skiver, idet et væskesjikt er anordnet mellom den ytre skive og de en eller flere ytterligere skiver, idet anlegget omfatter en holder som holder sammenstillingen av skiver, særpreget ved at anlegget omfatteren varmeinnretning som er plassert og dimensjonert slik at den ved operasjon medfører oppvarming til fordampning av minst en del av nevnte væskesjikt, ogen transportinnretning som kan transportere den ytre skive fra sammenstillingen av skiver til et transportbånd eller et ønsket sted for videre fremstilling.Transportinnretningen omfatter fordelaktig et endeløst belte med integrerte sugeinnretninger, hvilket gir maksimal mulig hastighet, særlig dersom flere belter eller bånd anordnes parallelt. Med fordel, særlig for mindre industrienheter på grunn av lavere investeringskostnad, omfatter transportinnretningen en robotarm med integrert sugeinnretning. Manuelt manipulerte sugeflater, eller andre innretninger, kan selvfølgelig også anvendes.Oppfinnelsen tilveiebringer også en fremgangsmåte for å adskille den ytre skive av silisium eller annet materiale fra en sammenstilling av en eller flere ytterligere skiver, idet et væskesjikt er anordnet mellom den ytre skive og de en eller flere ytterligere skiver. Fremgangsmåten særpreges ved at den omfatter, ved hjelp av en varmeinnretning, å oppvarme minst en del av nevnte væskesjikt til fordampning. Oppvarmingen utføres med fordel tilstrekkelig raskt til fordampning av væskesjiktet mellom den ytre skive og sammenstillingen av skiver, uten at væskesjiktet mellom den nest ytterste og den tredje ytterste skive fordamper, hvilket medfører økt hastighet for adskillelsen.Skivene holdes fordelaktig sammen med en kraft som medfører et tynt væskesjikt mellom skivene slik at kapillærkrefter eller andre krefter bidrar til å holde skivene sammen, eventuelt bortsett fra de øyeblikk da den ytre skive fjernes fra stabelen av sammenstilte skiver. Dette betyr at stabelen av skiver, sammenstillingen, presses sammen med en fysisk kraft påført fra en ho Ider innretning og/eller en transportinnretning og/eller andre innretninger, hvilket overraskende har vist seg, ved praktisk utprøving, å lette adskillelsen av den ytre skive. Kraftens størrelse synes å kunne variere betydelig, men typiske verdier kan være ca 100 - 1000 N/m2 (100- 1000 Pa).Fig. 2 er en snittegning som illustrerer separasjonssjiktet mellom wafer 1 og wafer 2, samt detaljer rundt innretningen, anlegget og fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen,Figur 4 illustrerer en utførelse hvor en robotarm utgjør en del av transportinnretningen for et anlegg ifølge oppfinnelsen. Figur 5 illustrerer en alternativ utførelse hvor en robotarm utgjør en del av transportinnretningen for et anlegg ifølge oppfinnelsen.Wafere (skiver) som separeres (adskilles) ved innretningen, anlegget og fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen er, f. eks. silisium wafere for produksjon av solceller. Slike wafere kan være tynne(50 my - 200 my), og håndteringen av dem er spesielt kritisk for å unngå skader på waferne.Væsken som foreligger er vann, vann tilsatt stoffer som senker kokepunktet og/eller bedrer smøring og skjæring, eller andre væsker, slik som alkohol, eller blandinger av væsker. De illustrerte utførelser er eksempler blant mange mulige. Oppfinnelsen omfatter innretningen, anlegget og fremgangsmåten som definert i de selvstendige patentkrav, også utførelser kombinert med ytterligere trekk fra krav, beskrivelse og figurer i enhver operativ utførelse og kombinasjon.Fig. 1 illustrerer et anlegg (100) ifølge oppfinnelsen for separering av silisium wafere fra en skråttliggende stabel av wafere (13) som er plassert i et oppvarmet kammer (14b) uten væskefylling i kammeret. Med skråttliggende stabel menes wafere anordnet i stabel på et skråttliggende plan (14a) som skråner slik at tyngdekraften får en kraftkomponent virkende perpendikulært fra wafer nr. 1 mot wafer nr. 2 i stabelen, og en kraftkomponent virkende perpendikulært ned på det skrå planet (14a) som støtter waferne fra undersiden. Skråttliggende stabel med væskeskikt mellom waferne gir en stabil stabel som holdes i posisjon av tyngdekraften, viskøse krefter mellom waferne i stabelen, og mekanisk friksjon som følge av ru overflate og gjenværende partikler fra skjæreproesssen.I kammeret er anordnet en eller flere dyser, som kan vær faste eller bevegelig i alle retninger, som har til oppgave å opprettholde væskeskiktet mellom waferne slik at de holdes sammen i en stabil samlet stabel. Kammeret inneholder en skråttliggende mekanisme for fremmating av wafer nr. 1 , den ytre wafer eller skive, til korrekt posisjon ved henteposisjon. Mekanismen referer seg til henteposisjon og ikke wafertykkelsen som kan variere etter den forutgående skjæreprosessen. Fremmating av framsiden (la) på wafer nr. 1 til fast posisjon ved henteposisjon, sikrer riktig funksjon for transportanordningen selv om wafer tykkelsen skulle variere.Væskeskiktet er spesielt viktig mellom waferne nærmest wafer 1 for å sikre at waferne holdes tilbake i stabelen og kun wafer nr. 1 følger med transportinnretningen. Væsken fra dysene strømmer over waferne i en finfordelt tåke som ikke påvirker de viskøse kreftene mellom waferne.Anlegget (100) omfatter en transportenhet (17) som i denne utførelsen av oppfinnelsen består at et endeløst belte med sugeområder tilpasset waferens størrelse og form, bestående av vakuumhuller arrangert som etterfølgende mønstre i beltet. Vakuumhuller er anordnet innenfor waferens areal slik at områder på beltet mellom wafere (17a) er uten vakuumhuller.Med referanse til Figur 2 kan transportenheten suge seg fast til yttersiden (la) av wafer nr. 1 i stabelen, og transportere wafer 1 parallelt med overflaten (2a) på wafer nr. 2 inntil wafer 1 er separert fra wafer 2, og videre via samme transportenhet til neste trinn i prosessen. Waferen holdes fast på et plant underlag som forblir plant under hele transporten til waferen er avlevert til neste trinn i prosessen. Transportenheten kan være et kontinuerlig belte eller et plant areal med huller, gitter, vev, nett eller annen overflate som er gjennomtrengelig for væske og/eller gass. Transportenheten kan hente wafer 1 fra en fast posisjon, eller ha en bevegelig funksjon perpendikulært på ytersiden (la) av wafer nr. 1. Etter separering kan transportenheten bevege seg i alle vinkler og kurver som måtte være hensiktsmessig for skånsom transport og avlevering av waferen til neste trinn i prosessen. Transportinnretningen i anordning (100), på Fig. 1, går via en kantet vals (19) som går synkront med transportbåndet (17) slik av waferne alltid ligger på en plan flate uten deformasjon eller ytre krefter på waferen. Svingrullene (29) på valsen er utstyr med styreruller som sikrer at transportbåndet går i en rett linje fra separasjonspunktet til valsen (19). Styreskinnen (28) for svingrullene (29) følger valsen (19) til waferen er på et horisontalt eller tilnærmet horisontalt plan.Transportinnretningen i anordning (300), illustrert på Fig. 3, har en løsning uten kantet vals (19) som er vist i anordning (100). Waferene henger i vakuum på undersiden av transportbåndet, og faller ned på neste transportbånd når den kommer forbi vakuumkassen (23). Avlevering av waferen kan også skje ved en vakuumkasse (24) som kan styres og gi et kontrollert bortfall av vakuum for å gi skånsom overgang for waferen.Vakuum systemet består av en sugeenhet (ikke vist) med tilnærmet konstant vakuum som er tilkoblet anordningen (100) via vakuumforbindelsen (27), og et vakuumkammer (24) som har regulerbart vakuum via et spjeld (25). Vakuum til vakuumkammeret (24) kan kobles til og fra ved bevegelse av spjeldet (25) som kan lukke og åpne vakuumforbindelsen (26) til konstantvakuum kammeret (23).Vakuumnivået ved fremsiden (la) på wafer nr. 1 kan derved reguleres etter behov ved en kombinasjon av vakuumkammer (23) med konstant vakuum, og varierende volum i vakuumkassen (24) som har intermittent vakuum. Servostyrt bevegelse av spjeldet kan gi ønsket trykk/vakuum i vakuumkammeret (24) etter behov.Oppvarming av wafer nr. 1 for separasjon med damp/gass, kan skje ved oppvarming fra transportinnretningen og/eller oppvarming av wafer nr. 1 direkte i henteposisjon. Transportinnretningen kan forvarmes før henteposisjon av en varmeenhet (31), ved elektrisk strøm gjennom den delen av transportinnretningen som befinner seg i henteposisjon (32), og/eller oppvarming ved en varmekilde (16) som befinner seg ved wafer nr. 1 i henteposisjon. Oppvarmingen kan skje ved kombinasjon av 2 eller flere av følgende 5 trinn, forvarming av waferen i varmekammer (14b) før separering, forvarming av transportinnretningen før henteposisjon (32), oppvarming av transportinnretningen i henteposisjon (32), oppvarming av waferen i henteposisjon, oppvarming av væskeskiktet (3) mellom wafer 1 og wafer 2 i henteposisjon. Minst 1 av oppvarmingsmetodene bør kunne styres nøyaktig i tid for å sikre en kontrollert og nøyaktig separering av wafer nr. 1 på ønsket tid. Ytterligere, og andre typer varmeinnretninger, er også anvendbare.En eller flere stabler av silisium wafere (13) anordnes på et skråttstilt plan (14a) i et varmekammer (14b) med regulerbar oppvarming. Kammeret inneholder en mekanisme (14) som kan mate stabelen av wafere parallell med et plan (14a) i nedre del av kammeret, til ønsket posisjon for wafer nr. 1 i henteposisjon. Stabelen av wafere holdes fuktig via 1 eller flere dyser (15) som holder stabelen av wafere fuktig under prosessen og vedlikeholder kreftene som holder waferne sammen i stabelen.Yttersiden (la) på wafer nr. 1 mates frem til henteposisjon (32) via matemekanismen (14) som skyver frem hele stabelen av wafere langs det skråttliggende planet (14a). Fremmatingen stopper når ytersiden (la) på wafer nr. 1 kommer i kontakt med transportinnretningen i ønsket posisjon, og øver et kontrollert trykk mot transportinnretningen. Vakuum fra vakuumkammeret (23) med konstant vakuum (23) kobles via spjeldet (25) til vakuumkammer (24) som står i direkte kontakt med ytterrsiden (la) av wafer nr. 1. Varme fra transportinnretningen i henteposisjon (32) og/eller varme fra varmekilden (16) i henteposisjon varmer wafer nr. 1 fra yttersiden (la) til waferen blir gjennomvarm, og varmen fra innsiden (lb) av wafer nr. 1 overføres til vannsjiktet (3a) nærmes innsiden (lb) på wafer nr. 1. Væskesjiktet nærmest innsiden (lb) på wafer nr. 1 varmes til kokepunktet og går over i damp-/gassform, og wafer nr. 1 separeres fra wafer nr. 2 via et jevnt fordelt gasstrykk som skyver wafer 1 mot transportinnretningen. Matemekanismen (14) fjerner trykket mot transportinnretningen ved å mate stabelen av wafere tilbake i motsatt retning av fremmating,dvs. perpendikulært fra flaten på transportinnretningen i henteposisjon.Waferen er nå festet til transportinnretningen via vakuum på hele waferens areal, og separert fra wafer nr. 2 via et damp-/gasskikt mellom wafer nr. 1 og wafer nr. 2. Vedvarende varmetilførsel vedlikeholder et damp-/gasskikt holder wafer nr. 1 separert fra wafer nr. 2 inntil transportinnretningen har transportert wafer nr. 1 bort til den ikke lenger er i kontakt med wafer nr. 2.Transportinnretningen kommer på nytt i henteposisjon når wafer nr. 1 er transportert minst en waferbredde bort fra henteposisjon, og hele prosessen gjentas for neste wafer i stabelen. Kontinuerlig utforming på transportinnretningen kan gi betydelig kapasitet under drift ved at ny wafer kan hentes straks foregående wafer er ute av henteposisjon.Figurene 4 og 5 illustrerer utførelser av anlegget ifølge oppfinnelsen hvorved transportinnretningen omfatter en robotarm.Forsøk med oppfinnelsen har vist at produksjonstakten kan økes flere ganger mens feilraten kan reduseres vesentlig.
Claims
1.Innretning for å adskille den ytre skive av silisium eller annet materiale fra en sammenstilling av en eller flere ytterligere skiver, idet et væskesjikt foreligger mellom den ytre skive og de en eller flere ytterligere skiver, karakterisert ved at innretningen omfatter en varmeinnretning som er plassert og dimensjonert slik at den ved operasjon medfører oppvarming til fordampning av minst en del av nevnte væskesjikt.2.Innretning ifølge krav 1, karakterisert ved at innretningen er plassert og dimensjonert slik at den varmer hele skivens areal eller et antall punkter fordelt utover skivens areal.3.Innretning ifølge krav 1, karakterisert ved at den omfatter flere varmeinnretningen valgt blant varmelyskilder rettet mot skivens overflate, laserkilder rettet mot skivens overflate, flateformede motstandsvarmere med anleggsflate tilpasset skivens areal, varmekamre som omslutter sammenstillingen av skiver, strålevarmere, beredere som varmer væske som tilføres mellom skivene til en temperatur nær kokepunktet, etc.4.Innretning ifølge krav 1, karakterisert ved at den er dimensjonert slik at oppvarming til tilstrekkelig fordampning av væskesjiktet mellom den ytre skive og sammenstillingen av skiver utføres raskt nok til at væskesjiktet mellom den nest ytterste og den tredje ytterste skive ikke fordamper.5.Anlegg for adskillelse og håndtering av skiver av silisium eller annet materiale fra en sammenstilling av en eller flere ytterligere skiver, idet et væskesjikt foreligger mellom den ytre skive og de en eller flere ytterligere skiver, hvor anlegget omfatter en holder som holder sammenstillingen av skiver,karakterisert ved at anlegget omfatteren varmeinnretning som er plassert og dimensjonert slik at den ved operasjon medfører oppvarming til fordampning av minst en del av nevnte væskesjikt, ogen transportinnretning som kan transportere den ytre skive fra sammenstillingen av skiver til et transportbånd eller et ønsket sted for videre fremstilling.6.Anlegg ifølge krav 5, karakterisert ved at transportinnretningen omfatter et endeløst belte med integrerte sugeinnretninger.7.Anlegg ifølge krav 5, karakterisert ved at transportinnretningen omfatter en robotarm med integrert sugeinnretning.8.Fremgangsmåte for å adskille den ytre skive av silisium eller annet materiale fra en sammenstilling av en eller flere ytterligere skiver, idet et væskesjikt foreligger mellom den ytre skive og de en eller flere ytterligere skiver, karakterisert ved at fremgangsmåten omfatter, ved hjelp av en varmeinnretning, å oppvarme minst en del av nevnte væskesjikt til fordampning.9.Fremgangsmåte ifølge krav 8, karakterisert ved at oppvarmingen utføres tilstrekkelig raskt til fordampning av væskesjiktet mellom den ytre skive og sammenstillingen av skiver, uten at væskesjiktet mellom den nest ytterste og den tredje ytterste skive fordamper.10. Fremgangsmåte ifølge krav 8, karakterisert ved at skivene holdes sammen med en kraft som medfører et tynt væskesjikt mellom skivene slik at kapillærkrefter eller andre krefter bidrar til å holde skivene sammen, eventuelt bortsett fra de øyeblikk da den ytre skive fjernes fra stabelen av sammenstilte skiver.
Drawings

Priority

No priority

Patent classes

IPC classesH01L 21/00B65G 60/00

Citations

NO 20061164 L (L)WO 2008/075970 A1 (A1)JP 2005-026296 A (A)EP 1523030 A2 (A2)

Applicants, owners and inventors

Applicants
Dynatec Engineering AS
Rakkestadveien 1 1814 ASKIM NO (INDRE ØSTFOLD Municipality, Østfold county)Org. number: 915223818Inventors
Josef Filtvedt
Kråkerudbakken 84 1825 TOMTER NO (INDRE ØSTFOLD Municipality, Østfold county)

Agent

PROTECTOR IP AS
PROTECTOR IP AS

Org. number: 979409524

Name and address are automatically synchronized with the Brønnøysund Register Centre.

Open in The Brønnøysund Register Centre
Pilestredet 33 0166 OSLO NO (OSLO Municipality, Oslo county)
Org. number: 979409524
Reference: P3637NO00-EH

Status history

Payment history

No payment history after 2015

Oppositions and appeals

No oppositions or appeals

Administrative limitation

No administrative limitation

Liens and licences

No liens or licenses registered

Gazette entries

No Gazette entries foundOnly events from 2024.03.04 and onwards are shown.